1、采用高頻逆變方式，大大降低了電源的體積，提高了電源的功率密度，更適合小功率電源。

2、采用高頻逆變方式，避免了開關(guān)變壓器等損耗，使電源效率更高。

3、高頻逆變方式，由于采用 PWM方式控制，使整個(gè)電源具有很高的可靠性。

4、采用高頻逆變方式，可獲得很高的頻率和幅度。在頻率為500 kHz~100 kHz時(shí)，可以獲得高于3W/cm2的功率密度。

5、高頻逆變方式還可獲得較小的開關(guān)損耗和較大的電壓輸出范圍。

6、采用高頻逆變方式，由于改變了開關(guān)變壓器的工作點(diǎn)，從而減少了磁芯損耗、變壓器損耗及整流二極管損耗等。

7、采用高頻逆變方式，還可有效地解決在大功率應(yīng)用場(chǎng)合下由于電網(wǎng)波動(dòng)而造成的電壓和電流波形的畸變問題。

8、由于采用高頻逆變方式，使電源的穩(wěn)定性有了很大的提高，極大地改善了電源工作狀態(tài)下產(chǎn)生的噪聲問題。

9、采用高頻逆變方式，還可避免輸出電壓紋波對(duì)負(fù)載造成影響。

11、采用高頻逆變方式，可進(jìn)一步改善電源功率密度及降低變壓器等損耗，從而進(jìn)一步提高電源效率。

12、采用高頻逆變方式，可提高電源的整機(jī)效率及減少整流二極管等器件的損耗。

一、濺射電源的性能指標(biāo)

濺射電源的性能指標(biāo)包括：電壓范圍（最大額定電壓），輸出功率（最大功率），頻率（最高頻率），輸出波形（正弦波、尖峰電壓波形等），輸出電壓紋波系數(shù)，輸出電流紋波系數(shù)，頻率穩(wěn)定度，工作頻率范圍、噪聲、失真等。

濺射電源的主要技術(shù)參數(shù)包括：功率范圍、輸出功率、頻率、波形等。

二、濺射電源工作原理

直流濺射電源工作原理：將電源的高壓直流電通過整流器整流濾波，再將直流電轉(zhuǎn)換成頻率為500 kHz~100 kHz的高頻交流電，輸出為高頻脈沖信號(hào)，驅(qū)動(dòng)真空管的陽極，使真空管的陽極與濺射靶形成高頻、大電流的離子轟擊靶，從而將靶材原子濺射出來。

濺射電源由升壓變壓器、整流電路、直流濾波器、全橋逆變電路、高頻逆變電路、冷卻電路和控制系統(tǒng)等組成。變壓器輸出端通過全橋逆變電路逆變成50 Hz的電壓和頻率可調(diào)的交流電；全橋逆變電路由兩個(gè)功率管組成，一個(gè)管全橋整流輸出直流電，另一個(gè)管全橋逆變輸出交流電；直流濾波器主要由兩個(gè)三極管組成。

三、主要部件介紹

1、主功率電源模塊：采用多個(gè) IGBT功率模塊并聯(lián)的方式，其優(yōu)點(diǎn)是功率因數(shù)高，能夠提高電源的輸出功率。

2、控制電路：采用高頻逆變控制方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)主電路的控制。

3、電源保護(hù)裝置：在主功率電源模塊出現(xiàn)異常時(shí)，會(huì)自動(dòng)切斷主電路電源，從而保護(hù)了整個(gè)電源系統(tǒng)的安全。

4、采樣電阻：將電壓和電流轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和顯示。

5、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）：實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的通斷，并可以實(shí)現(xiàn)可控硅的工作狀態(tài)。

四、安裝與調(diào)試

1.安裝時(shí)，應(yīng)在電源輸入端并聯(lián)一個(gè)串聯(lián)電阻，其阻值大小應(yīng)使其電壓與電源電壓保持一致，以防止電源輸入端的電壓波動(dòng)影響到被濺射材料的質(zhì)量。

2.安裝時(shí)，應(yīng)根據(jù)被濺射材料的特性、濺射氣氛的特性及濺射方式等因素，選用合適的安裝方法，并加以合理調(diào)整。

3.安裝完成后應(yīng)進(jìn)行必要的調(diào)試，確保濺射效果。

五、濺射電源參數(shù)表

1、電源的輸出功率為45W~150W；

2、工作頻率：50 HZ~80 KHZ；

3、電壓范圍：0~100V；

4、輸出電流：0~10A；

5、輸入阻抗：50Ω；

6、輸出電容：20μF；

7、輸出電壓波形：方波（正弦波），具有良好的穩(wěn)定性，適合于濺射設(shè)備的電源控制。

8、控制方式：全數(shù)字 PID控制，精度高，穩(wěn)定性好，響應(yīng)速度快；

9、操作方式：手動(dòng)/自動(dòng)切換。

10、電源保護(hù)方式：過流保護(hù)，過壓保護(hù)，缺相保護(hù)。

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