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偏壓電源中頻磁控鍍膜工藝

首頁(yè) 新聞中心 行業(yè)新聞 偏壓電源中頻磁控鍍膜工藝

偏壓電源中頻磁控鍍膜工藝

作者:深圳市英能電氣有限公司

時(shí)間:2023-04-15

脈沖偏壓電源中頻磁控鍍膜工藝是一種功能強(qiáng)大的表面處理工藝,廣泛應(yīng)用于制備高品質(zhì)薄膜和涂層材料。該工藝結(jié)合了偏壓電源和中頻磁控鍍膜技術(shù),可以在真空環(huán)境中沉積準(zhǔn)單晶、多晶和非晶的金屬、合金、氣體、氧化物、氟化物等材料。其具有高均勻性、高密度、高附著強(qiáng)度、低大氣污染等特點(diǎn),常用于光學(xué)、電子、建筑等各種領(lǐng)域的制備和應(yīng)用。

偏壓電源中頻磁控鍍膜工藝的基本原理是利用電子束或離子束轟擊靶材,使其表面的原子或分子迅速化為等離子體,并在強(qiáng)磁場(chǎng)的作用下形成高度離子化的等離子氣體,最終通過(guò)反應(yīng)、沉積和成膜等過(guò)程,制備出具有一定厚度和組成的薄膜或涂層。其中,偏壓電源可以調(diào)控反應(yīng)、沉積和成膜的速率、溫度、壓力等參數(shù),而中頻磁控技術(shù)則實(shí)現(xiàn)了對(duì)等離子體密度和運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的精確控制,從而提高了沉積膜的質(zhì)量和穩(wěn)定性。

偏壓電源中頻磁控鍍膜工藝在實(shí)際應(yīng)用中,還有許多改進(jìn)和優(yōu)化的方法,如引入多目標(biāo)、陰陽(yáng)極交替沉積、化學(xué)反應(yīng)等復(fù)合技術(shù),可以進(jìn)一步提高薄膜的性能和應(yīng)用范圍。同時(shí),隨著新材料、新工藝和新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn),偏壓電源中頻磁控鍍膜工藝也將在更廣泛的領(lǐng)域和更高的水平上得到應(yīng)用和發(fā)展


深圳市英能電氣有限公司是一家集真空鍍膜電源/PVD鍍膜電源的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售為一體的高科技企業(yè),已獲得高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定,通過(guò)iso:認(rèn)證,擁有專利多份。產(chǎn)品已獲得ce、rohs認(rèn)證。專注提供真空鍍膜電源及工業(yè)控制領(lǐng)域的解決方案。咨詢熱線:180-2547-6062

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