多弧電源離子鍍是真空室中，利用氣體放電或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)粒子轟擊作用的同時，將蒸發(fā)物或反應物沉積在基片上。

　　離子鍍把 輝光放電現(xiàn)象、 等離子體技術(shù)和真空蒸發(fā)三者有機結(jié)合起來，不僅能明顯地改進了膜質(zhì)量，而且還擴大了薄膜的應用范圍。其優(yōu)點是薄膜 附著力強，繞射性好，膜材廣泛等。D.M.首次提出離子鍍原理，起工作過程是：

　　先將真空室抽至4×10(-3)帕以上的 真空度，再接通 高壓電源，在蒸發(fā)源與基片之間建立一個低壓氣體放電的 低溫等離子區(qū)。基片電極接上5KV直流負高壓，從而形成輝光放電陰極。輝光放電去產(chǎn)生的惰性氣體離子進入陰極暗區(qū)被電場加速并轟擊基片表面，對其進行清洗。然后計入鍍膜過程，加熱使鍍料氣化，起原子進入等離子區(qū)，與惰性氣體離子及電子發(fā)生碰撞，少部分產(chǎn)生離化。離化后的例子及氣體離子以較高能量轟擊 鍍層表面，致使膜層質(zhì)量得到改善。

　　離子鍍種類很多，蒸發(fā)遠加熱方式有電阻加熱、 電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應加熱等

　　然而多弧離子鍍與一般的離子鍍有著很大的區(qū)別。多弧離子鍍采用的是弧光放電，而并不是傳統(tǒng)離子鍍的輝光放電進行沉積。簡單的說，多弧離子鍍的原理就是把陰極靶作為蒸發(fā)源，通過靶與陽極殼體之間的弧光放電，使靶材蒸發(fā)，從而在空間中形成 等離子體，對基體進行沉積。

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