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HiPIMS技術(shù)與電源發(fā)展

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HiPIMS技術(shù)與電源發(fā)展

作者:深圳市英能電氣有限公司

時間:2022-06-08

HiPIMS電源有很多的優(yōu)點,也有很多的缺點,它的沉積速率只有直流磁控濺射電源的15%-70%,還有時會有打弧現(xiàn)象,原因就是在脈沖期間,靶材上加較高的負靶壓,反而金屬離子重新回吸到靶面上,產(chǎn)生“回吸現(xiàn)象”,使沉積速率降低。

近年來電源廠商在改進上做了很多的工作,包括以下幾方面:負極雙極脈沖,正負交變雙極脈沖電源,動態(tài)反向脈沖電源,脈沖尾部瞬時正電壓電源,HIPIMS與偏壓電源同步工作控制電源,沉積速率和膜層質(zhì)量上都有一定的進步,所以有些生產(chǎn)電弧離子鍍的廠商也采用了HiPIMS技術(shù),在沉積無氫DLC硬質(zhì)涂層獲得了新的突破。

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HiPIMS電源近年不斷的發(fā)展,我司在這方面的領(lǐng)域也頗有研究,也有推出這方面的電源,歡迎大家垂詢!

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