PVD真空鍍膜機(Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積)的原理基于在真空環(huán)境下，利用物理方法將固體材料(稱為靶材)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)原子、分子或離子，然后這些氣態(tài)物質(zhì)沉積在基底(待鍍膜的材料)上，形成一層薄膜。這個過程通常包括以下步驟：

　　真空環(huán)境：首先，需要將鍍膜室抽成真空狀態(tài)，以消除氣體分子對鍍膜過程的影響。真空度的高低直接影響鍍膜的質(zhì)量和性能。

　　靶材加熱：在真空環(huán)境下，通過加熱或其他物理方法(如濺射、離子束轟擊等)使靶材表面的原子或分子獲得足夠的能量而脫離靶材表面，形成氣態(tài)物質(zhì)。

　　氣態(tài)物質(zhì)運輸：氣態(tài)物質(zhì)在真空中擴散并輸運到基底表面。這個過程中，氣態(tài)物質(zhì)的密度、溫度和壓力等因素會影響其運輸效率和沉積效果。

　　沉積成膜：氣態(tài)物質(zhì)在基底表面沉積并逐漸形成一層薄膜。這個過程中，薄膜的厚度、均勻性和結(jié)構(gòu)等特性受到多種因素的影響，如靶材的種類、基底的性質(zhì)、沉積時間等。

　　PVD真空鍍膜技術(shù)具有許多優(yōu)點，如膜層與基底的結(jié)合力強、膜層硬度高、耐磨性和耐腐蝕性好等。因此，它被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如光學(xué)、電子、裝飾、航空航天等。常見的PVD鍍膜技術(shù)包括真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜等。

　　深圳市英能電氣有限公司是一家集真空鍍膜電源/PVD鍍膜電源的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售為一體的高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品：中頻磁控濺射電源、單極性脈沖偏壓電源/雙極性脈沖偏壓、直流偏壓電源、直流磁控濺射電源、單極性脈沖磁控濺射電源，陽極電源、離子源電源、弧電源、高功率脈沖磁控濺射電源，HIPIMS電源等。已獲高新技術(shù)企業(yè)、iso9001認證，擁有專利多份。產(chǎn)品已獲得ce、rohs認證。專注提供真空鍍膜電源及工業(yè)控制領(lǐng)域的解決方案。咨詢熱線：137-1700-7958