作者:深圳市英能電氣有限公司
時(shí)間:2024-06-05
真空鍍膜電源的工作原理主要基于高頻振蕩電路。它負(fù)責(zé)為鍍膜過(guò)程提供穩(wěn)定、高質(zhì)量的電能。以下是其工作原理的詳細(xì)解釋?zhuān)?/p>
電源供應(yīng)與高壓產(chǎn)生:真空鍍膜電源通常包含一個(gè)高壓電源供應(yīng)部分,用于產(chǎn)生所需的高電壓。這個(gè)高壓電源為電子槍或其他蒸發(fā)源提供所需的電能。電源供應(yīng)的穩(wěn)定性和精確性對(duì)于確保鍍膜過(guò)程的穩(wěn)定性和質(zhì)量至關(guān)重要。
電子束或蒸發(fā)源的控制:在真空鍍膜過(guò)程中,電子束或蒸發(fā)源是將材料從源位置轉(zhuǎn)移到基底表面的關(guān)鍵。電源通過(guò)控制電子槍或蒸發(fā)源的電流、電壓等參數(shù),來(lái)調(diào)節(jié)材料的蒸發(fā)速率和沉積速率。這些參數(shù)的控制對(duì)于實(shí)現(xiàn)均勻、致密的鍍膜層至關(guān)重要。
離子化、加速和沉積:真空鍍膜電源通過(guò)控制電源的頻率、電壓和電流等參數(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)鍍膜材料離子化、加速和沉積過(guò)程的精確控制。在離子化階段,電源產(chǎn)生的高能電子與氣體分子碰撞,使氣體分子電離成離子和電子。在加速階段,電場(chǎng)將離子加速到一定的速度,使其具有足夠的能量撞擊靶材。在沉積階段,離子撞擊靶材后,靶材原子或分子被濺射出來(lái),并在基底上形成薄膜。
總之,真空鍍膜電源通過(guò)高頻振蕩電路產(chǎn)生高電壓和電流,控制電子束或蒸發(fā)源的參數(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)鍍膜材料離子化、加速和沉積過(guò)程的精確控制,從而制備出高質(zhì)量、均勻致密的鍍膜層。
深圳市英能電氣有限公司是一家集真空鍍膜電源/PVD鍍膜電源的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售為一體的高科技企業(yè),主要產(chǎn)品:中頻磁控濺射電源、單極性脈沖偏壓電源/雙極性脈沖偏壓、直流偏壓電源、直流磁控濺射電源、單極性脈沖磁控濺射電源,陽(yáng)極電源、離子源電源、弧電源、高功率脈沖磁控濺射電源,HIPIMS電源等。已獲高新技術(shù)企業(yè)、iso9001認(rèn)證,擁有專(zhuān)利多份。產(chǎn)品已獲得ce、rohs認(rèn)證。專(zhuān)注提供真空鍍膜電源及工業(yè)控制領(lǐng)域的解決方案。咨詢(xún)熱線(xiàn):137-1700-7958
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