作者：深圳市英能電氣有限公司
時間：2023-01-05
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)的特點是采用高功率電源和非平衡磁控濺射靶。可以提高非常高的等離子體密度和離化率。
高功率電源有很高的峰值功率，高達每平方厘米1000W-3000W，是普通磁控濺射的100倍。等離子體密度高達每立方米1018數(shù)量級，濺射清洗速度快濺射材料的離化率極高，采用銅靶時可達70%的離化率，和電弧離子鍍的技術(shù)離化率相當(dāng)了，大大提高了金屬離化率。對比直流磁控濺射和高功率濺射的離化率，在通入氬氣的時候采用鈦靶，采用直流濺射鈦的離化率10%，采用高功率濺射的鈦的離化率是46%。直流磁控濺射是以氬氣電離為主，高功率磁控濺射是以金屬鈦電離為主。
現(xiàn)在簡單介紹下高功率濺射沉積氮化鉻的工藝過程，首先抽真空，到本底真空度后，通入氬氣至1Pa，開啟高功率復(fù)合脈沖磁控濺射電源。高壓輝光清洗之后沉積鉻的過渡層，最后沉積氮化鉻的薄膜，靶基距14cm，復(fù)合直流0.2A，通入的氮氣和氬氣的量的比是6:10，制備氮化鉻的所需的沉積時間是60min,膜層可以達到1.4.最后關(guān)閉所有電源，工件真空條件下冷卻30分鐘。
高功率得到的膜層組織是更加細膩致密的，高功率的作用使得等離子體中高份額的高能離子中在沉積薄膜時的作用，高度離子化的束流不含有大顆粒，金屬離化率很高，膜層組織致密膜層組織質(zhì)量好，具有優(yōu)異的性能，膜基結(jié)合率高，沉積溫度低，可以在聚四氟乙烯上鍍膜。
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